Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N

Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N. Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4220pF. Costo): 580pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FB260N. Pd (disipación de potencia, máx.): 380W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: SMPS, Convertidores CC-CC de alta frecuencia. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.