Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006

Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006. Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0021 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 44 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 1080A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 118 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.