Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206

Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206. Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 840A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.