Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3306PBF

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3306PBF. Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 4520pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 31 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 07/07/2025, 00:25.