Transistor de canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220AB - IRFB4110PBF

Transistor de canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220AB - IRFB4110PBF. Transistor de canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220AB. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda: TO220AB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 370W. RoHS: sí. Peso: 1.99g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 78 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Serie: HEXFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 180A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 4.5m Ohms / 75A / 10V. VGS (th) (max) @ id: 1. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): 50 ns. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Temperatura de funcionamiento: NINCS. Tipo de montaje: THT. Características: 60.4k Ohms. Información: 250uA. MSL: 20uA. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 07/07/2025, 05:25.