Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4228

Transistor de canal N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4228
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 5.16€ 6.24€
2 - 2 4.90€ 5.93€
3 - 4 4.65€ 5.63€
5 - 9 4.39€ 5.31€
10 - 19 4.29€ 5.19€
20 - 29 4.18€ 5.06€
30 - 40 4.03€ 4.88€
Cantidad U.P
1 - 1 5.16€ 6.24€
2 - 2 4.90€ 5.93€
3 - 4 4.65€ 5.63€
5 - 9 4.39€ 5.31€
10 - 19 4.29€ 5.19€
20 - 29 4.18€ 5.06€
30 - 40 4.03€ 4.88€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 40
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4228. Transistor de canal N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 4530pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutador PDP. Identificación (diablillo): 330A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.