Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB42N20D

Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB42N20D
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 4.59€ 5.55€
5 - 9 4.36€ 5.28€
10 - 20 4.13€ 5.00€
Cantidad U.P
1 - 4 4.59€ 5.55€
5 - 9 4.36€ 5.28€
10 - 20 4.13€ 5.00€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 20
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB42N20D. Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 3430pF. Costo): 530pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FB42N20D. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: SMPS, Convertidores CC-CC de alta frecuencia. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.