Transistor de canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB42N20DPBF

Transistor de canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB42N20DPBF. Transistor de canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 97A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.072 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 4820pF. Costo): 340pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRFB4410ZPBF. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.