Transistor de canal N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB5615PBF

Transistor de canal N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB5615PBF. Transistor de canal N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 1750pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRFB5615PbF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 144W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 17.2ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.