Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V - IRFBF20S

Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V - IRFBF20S. Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 8 Ohms. Vivienda: TO-262 ( I2-PAK ). Vivienda (según ficha técnica): TO-262. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 490pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 6.8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 54W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 56 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.