Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD024

Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD024. Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 640pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 00:25.