Transistor de canal N, 60V, 2.5A, 60V, DIP4 - IRFD024PBF

Transistor de canal N, 60V, 2.5A, 60V, DIP4 - IRFD024PBF. Transistor de canal N, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Vivienda: DIP4. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 640pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 2.5A. Tensión puerta/fuente Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Max: 1.3W. Tipo de montaje: THT. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.