Transistor de canal N, soldadura de PCB, DIP4, 100V, 1A, DIP-4 - IRFD110PBF

Transistor de canal N, soldadura de PCB, DIP4, 100V, 1A, DIP-4 - IRFD110PBF. Transistor de canal N, soldadura de PCB, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Vivienda (norma JEDEC): DIP-4. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD110PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.9ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.