Transistor de canal N, 200V, TO247 - IRFP250PBF

Transistor de canal N, 200V, TO247 - IRFP250PBF. Transistor de canal N, 200V, TO247. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Vivienda: TO247. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 33A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRFP250PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Temperatura de funcionamiento: 0.085 Ohms @ 18A. Tipo de montaje: THT. Características: 70 ns. Información: 2800pF. MSL: 190W. Producto original del fabricante Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 20:25.