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Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF

Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 4.77€ 5.77€
2 - 2 4.53€ 5.48€
3 - 4 4.29€ 5.19€
5 - 9 4.05€ 4.90€
10 - 19 3.96€ 4.79€
20 - 29 3.86€ 4.67€
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Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF. Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Vivienda: TO-247. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. C(pulg): 3100pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 10:25.

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2SK1170

2SK1170

Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20...
2SK1170
Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 32 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protección G-S: sí
2SK1170
Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 32 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protección G-S: sí
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