Transistor de canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3100pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3100pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 480pF. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 280W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 20A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 80A. Marcado del fabricante: IRFP460APBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45