Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE40

Transistor de canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE40
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1 - 4 3.66€ 4.43€
5 - 9 3.47€ 4.20€
10 - 24 3.29€ 3.98€
25 - 33 3.11€ 3.76€
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Transistor de canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE40. Transistor de canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 5.4A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1900pF. Costo): 470pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación rápida, ORION TV. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 22A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 04:25.

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Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (...
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Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v
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