Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 5.11€ | 6.18€ |
5 - 9 | 4.86€ | 5.88€ |
10 - 24 | 4.60€ | 5.57€ |
25 - 49 | 4.35€ | 5.26€ |
50 - 63 | 4.24€ | 5.13€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.11€ | 6.18€ |
5 - 9 | 4.86€ | 5.88€ |
10 - 24 | 4.60€ | 5.57€ |
25 - 49 | 4.35€ | 5.26€ |
50 - 63 | 4.24€ | 5.13€ |
Transistor de canal N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V - IRFPF50. Transistor de canal N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.7A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.6 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2900pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 10:25.
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