Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V - IRFPG50

Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V - IRFPG50
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 5.28€ 6.39€
2 - 2 5.02€ 6.07€
3 - 4 4.76€ 5.76€
5 - 9 4.49€ 5.43€
10 - 19 4.39€ 5.31€
20 - 29 4.28€ 5.18€
30 - 52 4.12€ 4.99€
Cantidad U.P
1 - 1 5.28€ 6.39€
2 - 2 5.02€ 6.07€
3 - 4 4.76€ 5.76€
5 - 9 4.49€ 5.43€
10 - 19 4.39€ 5.31€
20 - 29 4.28€ 5.18€
30 - 52 4.12€ 4.99€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 52
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V - IRFPG50. Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.