Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80€ | 0.97€ |
5 - 9 | 0.76€ | 0.92€ |
10 - 24 | 0.72€ | 0.87€ |
25 - 49 | 0.68€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.67€ | 0.81€ |
100 - 120 | 0.65€ | 0.79€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80€ | 0.97€ |
5 - 9 | 0.76€ | 0.92€ |
10 - 24 | 0.72€ | 0.87€ |
25 - 49 | 0.68€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.67€ | 0.81€ |
100 - 120 | 0.65€ | 0.79€ |
Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR110. Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Costo): 80pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 17A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.
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