Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.26€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.20€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.14€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.08€ |
50 - 99 | 0.87€ | 1.05€ |
100 - 102 | 0.85€ | 1.03€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.26€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.20€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.14€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.08€ |
50 - 99 | 0.87€ | 1.05€ |
100 - 102 | 0.85€ | 1.03€ |
Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR1205. Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.027 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1300pF. Costo): 410pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 7.3 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.
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