Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.17€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.11€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.05€ |
50 - 99 | 0.85€ | 1.03€ |
100 - 107 | 0.74€ | 0.90€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.17€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.11€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.05€ |
50 - 99 | 0.85€ | 1.03€ |
100 - 107 | 0.74€ | 0.90€ |
Transistor de canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR3910. Transistor de canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.115 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 640pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 37 ns. Td(encendido): 6.4 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.