transistor de canal N IRFRC20, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V

transistor de canal N IRFRC20, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.44€
5-24
1.28€
25-49
1.13€
50-99
0.98€
100+
0.88€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 272

Transistor de canal N IRFRC20, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 48pF. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFRC20
30 parámetros
DI (T=100°C)
1.3A
DI (T=25°C)
2A
Idss (máx.)
500uA
Resistencia en encendido Rds activado
4.4 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
350pF
Cantidad por caja
1
Costo)
48pF
Diodo Trr (Mín.)
290 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
100uA
Identificación (diablillo)
8A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
42W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
30 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier

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