transistor de canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

transistor de canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.14€
5-24
0.96€
25-49
0.85€
50-99
0.75€
100+
0.61€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 96

Transistor de canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 48pF. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 8A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: V-MOS. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11

Documentación técnica (PDF)
IRFUC20
26 parámetros
DI (T=100°C)
1.2A
DI (T=25°C)
2A
Idss (máx.)
500uA
Resistencia en encendido Rds activado
4.4 Ohms
Vivienda
TO-251 ( I-Pak )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
350pF
Cantidad por caja
1
Costo)
48pF
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
100uA
Identificación (diablillo)
8A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
42W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
30 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
V-MOS
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier

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