Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N

Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N. Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.9 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.