Transistor de canal N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 22.7nC. Corriente de drenaje: 26A. Costo): 240pF. Diodo Trr (Mín.): 57 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Polaridad: unipolares. Potencia: 56W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia térmica de alojamiento: 2.7K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 31 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11