Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50€ | 1.82€ |
5 - 9 | 1.42€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.35€ | 1.63€ |
25 - 49 | 1.27€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.24€ | 1.50€ |
100 - 204 | 1.09€ | 1.32€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50€ | 1.82€ |
5 - 9 | 1.42€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.35€ | 1.63€ |
25 - 49 | 1.27€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.24€ | 1.50€ |
100 - 204 | 1.09€ | 1.32€ |
Transistor de canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ48N. Transistor de canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1970pF. Costo): 470pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 68 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Identificación (diablillo): 210A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.
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