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Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 8.16€ 9.87€
2 - 2 7.75€ 9.38€
3 - 4 7.34€ 8.88€
5 - 9 6.93€ 8.39€
10 - 19 6.77€ 8.19€
20 - 29 6.61€ 8.00€
30 - 32 6.36€ 7.70€
Cantidad U.P
1 - 1 8.16€ 9.87€
2 - 2 7.75€ 9.38€
3 - 4 7.34€ 8.88€
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Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K. Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 22:25.

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