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Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V - IRG4PH50KD

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V - IRG4PH50KD
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 16.42€ 19.87€
2 - 2 15.60€ 18.88€
3 - 4 14.78€ 17.88€
5 - 9 13.96€ 16.89€
10 - 12 13.63€ 16.49€
Cantidad U.P
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Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V - IRG4PH50KD. Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1220V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 87 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 22:25.

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