Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U. Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 3600pF. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: IRG4PH50U. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 35 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.56V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 23:25.