Transistor de canal N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v - IRL3713S

Transistor de canal N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v - IRL3713S. Transistor de canal N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. DI (T=100°C): 170A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.003 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia Rds-on muy baja. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Tecnología: SMPS MOSFET. Nota: UltraLow Gate. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 21:25.