Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N. Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 800pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET, nivel lógico controlado. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 21:25.