Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00€ | 2.42€ |
5 - 9 | 1.90€ | 2.30€ |
10 - 24 | 1.84€ | 2.23€ |
25 - 49 | 1.80€ | 2.18€ |
50 - 99 | 1.76€ | 2.13€ |
100 - 249 | 1.59€ | 1.92€ |
250 - 781 | 1.53€ | 1.85€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00€ | 2.42€ |
5 - 9 | 1.90€ | 2.30€ |
10 - 24 | 1.84€ | 2.23€ |
25 - 49 | 1.80€ | 2.18€ |
50 - 99 | 1.76€ | 2.13€ |
100 - 249 | 1.59€ | 1.92€ |
250 - 781 | 1.53€ | 1.85€ |
Transistor de canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS. Transistor de canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 17:25.
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