Transistor de canal N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502

Transistor de canal N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502. Transistor de canal N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 4.2A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 740pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 04:25.