Transistor de canal N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803

Transistor de canal N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803. Transistor de canal N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=100°C): 0.93A. DI (T=25°C): 1.2A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 85pF. Costo): 34pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Identificación (diablillo): 7.3A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 540mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 9 ns. Td(encendido): 3.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 04:25.