Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07€ | 1.29€ |
5 - 9 | 1.02€ | 1.23€ |
10 - 24 | 0.96€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.91€ | 1.10€ |
50 - 77 | 0.89€ | 1.08€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07€ | 1.29€ |
5 - 9 | 1.02€ | 1.23€ |
10 - 24 | 0.96€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.91€ | 1.10€ |
50 - 77 | 0.89€ | 1.08€ |
Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR120N. Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.185 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 440pF. Costo): 97pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 35A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 4 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 04:25.
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