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Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR120N

Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR120N
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.07€ 1.29€
5 - 9 1.02€ 1.23€
10 - 24 0.96€ 1.16€
25 - 49 0.91€ 1.10€
50 - 77 0.89€ 1.08€
Cantidad U.P
1 - 4 1.07€ 1.29€
5 - 9 1.02€ 1.23€
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Conjunto de 1

Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR120N. Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.185 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 440pF. Costo): 97pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 35A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 4 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 04:25.

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