Transistor de canal N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 161A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 4380pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 940pF. Diodo Trr (Mín.): 39 ns. Función: RDS muy bajo (encendido) a 4,5 V VGS, impedancia de puerta ultrabaja. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 620A. Marcado en la caja: LR7843. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2000. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38