Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.75€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.71€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.67€ |
50 - 98 | 0.52€ | 0.63€ |
Cantidad | U.P | |
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1 - 9 | 0.62€ | 0.75€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.71€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.67€ |
50 - 98 | 0.52€ | 0.63€ |
Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8726TRPBF. Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2150pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 340A. IDss (mín.): 1uA. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedancia de puerta ultrabaja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.
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