Transistor de canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V - IXFA130N10T2

Transistor de canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V - IXFA130N10T2. Transistor de canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.