Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación), 800V - IXFX34N80

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación), 800V - IXFX34N80
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1 - 1 24.11€ 29.17€
2 - 2 22.90€ 27.71€
3 - 4 21.70€ 26.26€
5 - 9 20.49€ 24.79€
10 - 14 20.01€ 24.21€
15 - 19 19.53€ 23.63€
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Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación), 800V - IXFX34N80. Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación), 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.24 Ohms. Vivienda: PLUS247. Vivienda (según ficha técnica): PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación). Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 136A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 560W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.

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IXFK34N80

IXFK34N80

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Id...
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Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.24 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 136A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 560W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protección G-S: NINCS
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