Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 17.54€ | 21.22€ |
2 - 2 | 16.66€ | 20.16€ |
3 - 4 | 15.78€ | 19.09€ |
5 - 9 | 14.91€ | 18.04€ |
10 - 14 | 14.56€ | 17.62€ |
15 - 19 | 14.21€ | 17.19€ |
20 - 23 | 13.68€ | 16.55€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 17.54€ | 21.22€ |
2 - 2 | 16.66€ | 20.16€ |
3 - 4 | 15.78€ | 19.09€ |
5 - 9 | 14.91€ | 18.04€ |
10 - 14 | 14.56€ | 17.62€ |
15 - 19 | 14.21€ | 17.19€ |
20 - 23 | 13.68€ | 16.55€ |
Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1. Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2700pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Función: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Diodo CE: sí. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.
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