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Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1

Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 17.54€ 21.22€
2 - 2 16.66€ 20.16€
3 - 4 15.78€ 19.09€
5 - 9 14.91€ 18.04€
10 - 14 14.56€ 17.62€
15 - 19 14.21€ 17.19€
20 - 23 13.68€ 16.55€
Cantidad U.P
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2 - 2 16.66€ 20.16€
3 - 4 15.78€ 19.09€
5 - 9 14.91€ 18.04€
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Conjunto de 1

Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1. Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2700pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Función: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Diodo CE: sí. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.

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