Transistor de canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V - IXTA36N30P

Transistor de canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V - IXTA36N30P. Transistor de canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.092 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263AB ). Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHTTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.