Transistor de canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V - IXTQ88N30P

Transistor de canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V - IXTQ88N30P. Transistor de canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 88A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 40m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 6300pF. Costo): 950pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 96 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.