Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.26€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.25€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.19€ | 0.23€ |
250 - 499 | 0.18€ | 0.22€ |
500 - 8074 | 0.17€ | 0.21€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.26€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.25€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.19€ | 0.23€ |
250 - 499 | 0.18€ | 0.22€ |
500 - 8074 | 0.17€ | 0.21€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A - MMBF170LT1G. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 08:25.
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