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Transistor de canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V - NP82N055PUG

Transistor de canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V - NP82N055PUG
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.53€ 4.27€
5 - 9 3.35€ 4.05€
10 - 24 3.25€ 3.93€
25 - 38 3.18€ 3.85€
Cantidad U.P
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Transistor de canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V - NP82N055PUG. Transistor de canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.1m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): MP-25ZP. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 6400pF. Costo): 465pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 900. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 328A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 82N055. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 142W. RoHS: sí. Spec info: transistor MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 07:25.

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