Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.23€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.12€ |
10 - 24 | 1.70€ | 2.06€ |
25 - 49 | 1.66€ | 2.01€ |
50 - 99 | 1.62€ | 1.96€ |
100 - 249 | 1.22€ | 1.48€ |
250 - 807 | 1.18€ | 1.43€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.23€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.12€ |
10 - 24 | 1.70€ | 2.06€ |
25 - 49 | 1.66€ | 2.01€ |
50 - 99 | 1.62€ | 1.96€ |
100 - 249 | 1.22€ | 1.48€ |
250 - 807 | 1.18€ | 1.43€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A - NTD3055L104T4G. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 55L104G. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Producto original del fabricante On Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 04:25.
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