Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.23€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.12€ |
10 - 24 | 1.66€ | 2.01€ |
25 - 49 | 1.56€ | 1.89€ |
50 - 99 | 1.53€ | 1.85€ |
100 - 249 | 1.49€ | 1.80€ |
250 - 779 | 1.42€ | 1.72€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.23€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.12€ |
10 - 24 | 1.66€ | 2.01€ |
25 - 49 | 1.56€ | 1.89€ |
50 - 99 | 1.53€ | 1.85€ |
100 - 249 | 1.49€ | 1.80€ |
250 - 779 | 1.42€ | 1.72€ |
Transistor de canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG. Transistor de canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 790pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 40A. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11.8 ns. Td(encendido): 2.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 17:25.
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