Transistor de canal N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. Resistencia en encendido Rds activado: 5.1M Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-263 (D2PAK). C(pulg): 2780pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 641pF. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 59.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Niko-semi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30