Transistor de canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 50A. Resistencia en encendido Rds activado: 15m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 600pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 150A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Niko-semi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30