Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47€ | 1.78€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.69€ |
10 - 24 | 1.32€ | 1.60€ |
25 - 49 | 1.25€ | 1.51€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.48€ |
100 - 249 | 1.19€ | 1.44€ |
250 - 363 | 1.13€ | 1.37€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47€ | 1.78€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.69€ |
10 - 24 | 1.32€ | 1.60€ |
25 - 49 | 1.25€ | 1.51€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.48€ |
100 - 249 | 1.19€ | 1.44€ |
250 - 363 | 1.13€ | 1.37€ |
Transistor de canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P75N02LD. Transistor de canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 75A. Resistencia en encendido Rds activado: 5M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 170A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 17:25.
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